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20nm-4Gb-DDR3-03Samsung vuelve a ser el primero en algo. Esta vez, la compañía surcoreana anunció que logró crear la RAM más rápida del mundo. La memoria tipo DDR5 utiliza la interfaz HBM2 y es capaz de alcanzar una velocidad de transferencia de hasta 256 GB/s, lo que la hace hasta 7 veces más rápida que los módulos DDR5 anteriores utilizados en tarjetas gráficas. La compañía anunció que proporcionará su memoria DDR4 ultrarrápida de 5 GB a fabricantes de servidores corporativos, así como a fabricantes de tarjetas gráficas, nVidia y AMD.

Los módulos de memoria para tarjetas gráficas se fabricarán mediante el proceso de fabricación de 20 nm, lo que hará que consuman menos que las memorias actuales y ofrecerán un mayor rendimiento. Actualmente se producen chips de 4 GB de cuatro capas con núcleos de 8 gigabits, pero pronto se producirá una memoria de 8 GB de ocho capas.

Samsung DDR20 de 8nm y 4Gb

 

*Fuente: SamMobile

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