Samsung Electronics anunció que ha iniciado la producción en masa de los módulos de memoria DDR4 más avanzados con un tamaño de 8 Gb, y junto con ellos ha iniciado la producción de los primeros módulos de RAM DDR32 de 4 GB destinados a servidores corporativos. Estas nuevas RAM se fabrican utilizando el nuevo proceso de fabricación de 20 nm, que es el mismo proceso que se utiliza para fabricar incluso los procesadores móviles más avanzados en la actualidad. Samsung afirma que estos módulos de memoria cumplen con todos los requisitos de alto rendimiento, alta densidad y ahorro energético en servidores corporativos de próxima generación.
Además, con los nuevos módulos DDR8 de 4 Gb, Samsung finalizó toda la línea de módulos DRAM fabricados mediante el proceso de fabricación de 20 nm. Hoy en día, esta serie incluye LPDDR6 de 3 Gb para dispositivos móviles y módulos DDR4 de 3 Gb para PC. Luego, como se mencionó anteriormente, Samsung está comenzando a producir módulos de memoria RDIMM de 32 GB que ofrecen una velocidad de transferencia de 2 Mbps por pin, lo que representa un aumento del 400% en el rendimiento en comparación con la velocidad de transferencia de 29 Mbps de la memoria DDR1 del servidor. Pero las capacidades de esta tecnología no se limitan a los 866 GB, y Samsung afirmó que utilizando la tecnología 3D TSV es posible desarrollar un módulo de memoria de hasta 32 GB. La ventaja de los nuevos módulos es también el mencionado menor consumo, ya que estos chips DDR3 requieren 128 voltios, que es actualmente el voltaje más bajo posible.
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*Fuente: Samsung
