Samsung comenzó hoy la producción en masa de sus nuevos módulos DRAM DDR3 utilizando un proceso de fabricación de 20 nanómetros. Estos nuevos módulos tienen una capacidad de 4Gb, es decir 512MB. Sin embargo, la memoria disponible de los módulos individuales no es su característica principal. El avance reside precisamente en el uso de un nuevo proceso de producción, que permite reducir el consumo de energía hasta un 25 % en comparación con el antiguo proceso de 25 nanómetros.
El paso a la tecnología de 20 nm es también el último paso que separa a la empresa del inicio de la producción de módulos de memoria mediante el proceso de 10 nm. La tecnología utilizada actualmente en los nuevos módulos es también la más avanzada del mercado y se puede utilizar no sólo con ordenadores sino también con dispositivos móviles. Para los ordenadores, esto significa que Samsung ahora puede crear chips del mismo tamaño, pero con una memoria operativa significativamente mayor. Samsung también tuvo que modificar su tecnología existente para poder hacer los chips más pequeños manteniendo el método de fabricación actual.
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