Samsung dio a conocer sus planes en el negocio de los semiconductores en una conferencia en Estados Unidos. Mostró una hoja de ruta que muestra una transición gradual a la tecnología LPP (Low Power Plus) de 7 nm, LPE (Low Power Early) de 5 nm, LPE/LPP de 4 nm y Gate-All-Around Early/Plus de 3 nm.
El gigante surcoreano comenzará la producción de la tecnología LPP de 7 nm, que utilizará litografía EUV, en la segunda mitad del próximo año, mientras que al mismo tiempo su rival TSMC quiere comenzar la producción con un proceso mejorado de 7 nm+ y comenzar la producción arriesgada con un proceso de 5 nm. .
Samsung comenzará a fabricar conjuntos de chips utilizando el proceso LPE de 5 nm a finales de 2019 y el proceso LPE/LPP de 4 nm durante 2020. Es la tecnología de 4 nm la que se convertirá en la última tecnología en utilizar transistores FinFET. Se espera que tanto el proceso de 5 nm como el de 4 nm reduzcan el tamaño del chipset, pero al mismo tiempo aumenten el rendimiento y reduzcan el consumo.
A partir de la tecnología de 3 nm, la empresa cambiará a su propia arquitectura MBCFET (Multi Bridge Channel FET) GAA (Gate All Around). Si todo va según lo previsto, los conjuntos de chips deberían producirse en 3 mediante el proceso de 2022 nm.
