Aunque Samsung aún no ha presentado tampoco Galaxy S9 y ya se empieza a especular sobre él Galaxy T10. Al parecer, el buque insignia que el gigante surcoreano presentará el próximo año debería tener un chip más potente que el de este año. Galaxy S9. El corazón de la versión internacional. Galaxy El S9 es un Exynos 9810 y la versión estadounidense es un Snapdragon 845. Samsung tuvo que seguir con el proceso de 10 nm, pero los chips de 7 nm deberían aparecer en los teléfonos inteligentes ya el próximo año, es decir. Galaxy S10.
Ayer Qualcomm presentó el Snapdragon X24, un nuevo módem LTE para smartphones que promete velocidades de descarga teóricas de hasta 2 Gbps. Qualcomm afirma que este es el primer módem LTE de categoría 20 que admite velocidades tan altas. El Snapdragon X24 se convertirá así en el primer módem LTE construido con la arquitectura de 7 nm.
Qualcomm dijo que el módem llegará a dispositivos comerciales a finales de este año, por lo que no debutará con el chip Snapdragon 845 que impulsa la versión estadounidense. Galaxy S9. Snapdragon 845 tiene módem Snapdragon X20 LTE.
Aunque Qualcomm no confirmó que el próximo procesador, es decir, el Snapdragon 855, se fabricará mediante el proceso de 7 nm. Esto es sólo una especulación, basada en el perfil de LinkedIn de uno de los empleados del proveedor.
El Snapdragon 855, que contaría con el módem Snapdragon X24, se convertiría así en el primer procesador móvil de 7 nm del mundo. Y Galaxy El S10 se convertiría en el primer smartphone en contar con un procesador de este tipo.
Fuente: SamMobile
