Samsung se prepara estos días para iniciar la producción de la memoria ultrarrápida UFS 2.0 NAND Flash que planea utilizar en su futuro buque insignia, el Samsung Galaxy S6. Hasta ahora se utilizaba la tecnología de memoria flash eMMC NAND, que podía alcanzar una velocidad de transferencia de 400 MB/s. Sin embargo, gracias a la nueva tecnología UFS de segunda generación, la memoria estará en los teléfonos. Galaxy S6 capaz de alcanzar una velocidad de transferencia de hasta 1.2 GB/s, es decir, una velocidad tres veces mayor.
Por supuesto, esto se reflejará en la transferencia de archivos grandes, como la transferencia de vídeos 4K mediante una conexión LTE-A. Además, en comparación con eMMC 5.0, la tecnología ofrece hasta un 50% menos de consumo, lo que repercute positivamente en la duración de la batería del nuevo teléfono. Samsung también planea utilizar la tecnología en sus tarjetas SD y microSD y aparentemente ya está trabajando duro en ello. El principal rival chino de Samsung, Xiaomi, también planea utilizar la memoria Flash UFS, y parece que Toshima, Hynix y Micron también mostrarán interés en ello. Además, gracias a la tecnología UFS, Samsung se verá obligada a utilizar el puerto microUSB 3.0 si quiere aprovechar la velocidad de transferencia a la hora de transferir archivos desde un ordenador a un teléfono móvil y viceversa.
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*Fuente: ETNoticias
