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20nm-4Gb-DDR3-03Samsung Electronics ha anunciado que acaba de comenzar la producción en masa de nuevos módulos RAM LPDDR6 de 3 Gb para dispositivos móviles. La compañía producirá nuevas memorias operativas con la ayuda de un proceso de producción de 20 nm, lo que se reflejará en un menor consumo de energía del 10% y un aumento del rendimiento de hasta el 30%. Cada pin de estos módulos de memoria tiene una velocidad de transferencia de 2,133 Mb/s.

Los chips también son un 20% más pequeños en comparación con los módulos anteriores, si tenemos en cuenta un conjunto de cuatro módulos de memoria uno al lado del otro. De este modo, un conjunto de cuatro módulos de memoria puede proporcionar al teléfono 3 GB de RAM, ya que cada módulo de memoria proporciona una memoria de 768 MB. Aquí se puede ver que Samsung probablemente tenga aún más tiempo para despertarse al límite de la gama alta de 3 GB de RAM, y sólo en algún momento a finales del próximo año podremos empezar a fantasear con el hecho de que nuestro móvil Los teléfonos tienen la misma cantidad de memoria operativa que se encuentra en nuestras computadoras.

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*Fuente: SammyHub

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